Verarbeitung von PZT-Folien

In den letzten vier Jahrzehnten hat die Entwicklung der Mikroelektronikindustrie den Trend zur Herstellung ultrad nner (mit nanometrischer Mikrostruktur) und ultrareiner (ohne Verunreinigungen oder Defekte) Materialien gesetzt, die eine Steigerung der funktionellen Effizienz ihrer Teile bei kleinstm glichem Volumen garantieren. Das bergeordnete Ziel dieser Arbeit war die Synthese (Abscheidung und Gl hen) ferroelektrischer Bleititanat-Schichten (PT), die auf einem Pt/Ti/SiO2/Si Substrat abgeschieden wurden. Aus den oben genannten Gr nden wurde die CVD-AA-Methode verwendet. Im Allgemeinen ist bei dieser Art von Filmen das Tempern ein notwendiger Schritt, um die gew nschte (ferroelektrische) Perowskitphase zu erhalten. Die Arbeit umfasst die entsprechende thermogravimetrische Analyse sowie die kristallographische und mikrostrukturelle Charakterisierung. Zu den Ergebnissen geh rt, dass die Filme eine gute chemische und strukturelle Homogenit t auf mikrometrischer Ebene aufweisen, dass die in den Filmen vorhandenen Phasen den gew nschten Phasen entsprechen und dass ferroelektrische Dom nen beobachtet wurden.