Ruolo della ricottura sull'ingegneria dell'interfaccia nei dispositivi Ge MOS

I dielettrici ad alta permittivit e i substrati adatti sono oggetto di studi intensivi in vista del loro utilizzo nella progettazione VLSI. Tuttavia, l'ossido di afnio (HfO2) un candidato promettente per la prossima generazione di dielettrici di gate grazie alla sua costante dielettrica relativamente alta 25, all'ampio bandgap, alla buona stabilit termica e all'energia libera di reazione relativamente alta con il materiale del substrato. Recentemente, i dispositivi elettronici basati sul Ge hanno riguadagnato una notevole attenzione e il Ge pu fornire soluzioni ai principali problemi che la tecnologia Si sta affrontando per i dispositivi CMOS avanzati; ci dovuto principalmente alla maggiore mo-bilit sia delle buche che degli elettroni nel substrato Ge. Questo libro quindi utile ai lettori per conoscere alcuni aspetti significativi della tecnologia Ge per i dispositivi ad alta frequenza.