Progettazione di SRAM a bassa dispersione

La maggior parte delle ricerche sul consumo di potenza dei circuiti si concentrata sulla potenza di commutazione e la potenza dissipata dalla corrente di dispersione stata un'area relativamente minore. Tuttavia, nell'attuale processo VLSI, la corrente sotto-soglia diventa uno dei fattori principali del consumo di energia, soprattutto nelle memorie di fascia alta. Per ridurre la potenza di dispersione nelle SRAM, possibile applicare il metodo del power gating, la cui tecnica principale l'utilizzo di transistor sleep per controllare la corrente sotto-soglia. In questo progetto si adottano tensioni di soglia doppie; le normali celle SRAM hanno tensioni di soglia inferiori e le tensioni di soglia superiori controllano i transistor di sleep. La dimensione dei transistor di sleep pu essere scelta in base alla corrente del caso peggiore e sono applicati a ogni blocco.