Etude des propriétés électroniques des alliages de type Zr(x)Si(1-x)O2

Ici, nous pr sentons nos r sultats num riques de solutions solides ZrxSi1-xO2 (avec x= 0-1) afin de pr dire de nouveaux compos s hypoth tiques t tragonaux de la famille Zircon. Nous avons utilis la m thode des ondes planes augment es lin aris es plein potentiel (FP-LAPW) bas e sur la th orie fonctionnelle de la densit DFT dans l'approximation GGA telle qu'impl ment e dans le code WIEN2k pour tudier les propri t s structurelles et opto lectroniques des compos s nomm s. Nous avons tudi , dans un premier temps, les propri t s du compos ZrSiO4, o les r sultats obtenus sont compar s plusieurs investigations th oriques et exp rimentales. Deuxi mement, nous avons pr dit de nouveaux compos s hypoth tiques pour la famille ZrSi3O8 et Zr3SiO8 qui cristallisent dans le groupe d'espace I41/amd. Quoi qu'il en soit, la stabilit chimique des alliages tudi s a t v rifi e la fois avec l'enthalpie de formation et l' nergie de coh sion. De plus, les r sultats de dispersion des phonons ont galement indiqu cet aspect. Les propri t s lectroniques r v lent une forte hybridation covalente p-d entre Zr et O. Le compos Zr3SiO8 pr sente une large bande interdite indirecte.