Entwicklung, Design und Analyse von Typ-II-Nanosystemen mit Hetero-Spannung

Dieses Buch befasst sich mit der Weiterentwicklung und Analyse von zylindrischen FETs mit verspanntem Kanal und zylindrischem Gate (CGAA - cylindrical gate-all-around). Die Studie untersucht ein Design im Nanoma stab, das drei ultrad nne verspannte Schichten enth lt: zwei u ere Schichten aus verspanntem Silizium (s-Si) und eine mittlere Schicht aus verspanntem Silizium-Germanium (s-SiGe), die eine Heterostruktur auf einem Isolator (HOI) innerhalb des CGAA-FETs bilden. Diese verspannten Schichten im Kanal schr nken Quantenladungstr ger wirksam ein, wodurch die Ladungstr gerbeweglichkeit erh ht und der Schwellenspannungsabfall verringert wird.