Dielektrische Hoch-K-MOSFETs treiben die technologische Entwicklung voran

Die Fortschritte in der High-k-Fertigungstechnologie haben enorme Fortschritte in der Mikroelektronikindustrie erm glicht, indem sie sowohl die Leistung einzelner Transistoren verbessert als auch die Integration von mehr Transistoren auf einem Chip erm glicht haben. In den kommenden Jahren k nnte MOS mit High-k die Szenarien f r die Herstellung kleiner Transistoren ver ndern. Daher sollten die Studien zu diesem Bauelement mit intensiven Experimenten fortgesetzt werden. Die Auswirkungen des High-k-Dielektrikums (TiO2) werden auch bei NMOS-Transistoren beobachtet. Es wurde festgestellt, dass der Leckstrom unter der Schwelle mit zunehmender Schwellenspannung abnimmt; dies reduziert den Stromverbrauch und verbessert somit die Leistung des NMOS-Transistors. Durch die Verringerung des Gate-Leckstroms und des Sub-Threshold-Swing ist die High-k-NMOS-Struktur eine gute Alternative f r zuk nftige Nanoscale-MOS-Bauelemente. Aus der Analyse l sst sich auch schlie en, dass die Schwellenspannung mit der Verkleinerung der Bauelemente sinkt.