Gå direkt till innehållet
Design und Entwicklung einer High-Electron-Mobility Transistor Technologie für Leistungsbauelemente zur Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem Galliumnitrid auf 150 mm Si-Wafern
Spara

Design und Entwicklung einer High-Electron-Mobility Transistor Technologie für Leistungsbauelemente zur Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem Galliumnitrid auf 150 mm Si-Wafern

Författare:
Tyska
Lägsta pris på PriceRunner
Författare
Martin Schuster
Upplaga
001
ISBN
9783746097817
Språk
Tyska
Vikt
264 gram
Utgivningsdatum
2018-03-16
Sidor
176