Design melhorado de espelho de corrente CMOS de baixa potência

Com o advento dos sistemas de comunica o electr nicos e m veis port teis, a conce o de circuitos de modo misto de baixa tens o e baixa pot ncia ganhou import ncia. Para o funcionamento de tais sistemas, como aparelhos auditivos, pacemakers card acos implant veis, telem veis e terminais multim dia port teis, etc., a bateria a principal fonte de energia. Estes sistemas exigem uma baixa dissipa o de energia, de modo a terem uma dura o e um peso razo veis. A conce o de circuitos anal gicos de elevado desempenho est a tornar-se cada vez mais dif cil com a tend ncia persistente para tens es de alimenta o reduzidas. A topologia de espelho de corrente CMOS de baixa tens o com mudan a de n vel foi selecionada e optimizada para obter os resultados desejados, variando as dimens es dos trans stores e as tens es de polariza o. A gama din mica melhorou por um fator de 800 A e a largura de banda melhorou em mais de 189 MHz em compara o com o trabalho de refer ncia. A dissipa o de energia melhorou em mais de 40%.