Gå direkt till innehållet
Deep Level Defects in Electron-Irradiated Aluminum Gallium Nitride Grown by Molecular Beam Epitaxy
Spara

Deep Level Defects in Electron-Irradiated Aluminum Gallium Nitride Grown by Molecular Beam Epitaxy

Författare:
pocket, 2012
Engelska
Lägsta pris på PriceRunner
Författare
Michael R Hogsed
ISBN
9781286861233
Språk
Engelska
Vikt
295 gram
Utgivningsdatum
2012-10-26
Sidor
206