Correlazione delle proprietà ottiche dei film sottili di ZnO

Nel presente lavoro, abbiamo utilizzato le propriet ottiche di film sottili di ossido di zinco puro e drogato come semiconduttore di tipo n. I film sottili sono stati depositati a diverse molarit di precursori mediante tecniche di spray ultrasonico e pirolisi spray e a diverse temperature del substrato, i film sottili di ZnO drogati con vari droganti come Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn. In questo lavoro l'attenzione stata focalizzata sull'approccio attualmente nuovo per calcolare l'energia di gap ottico e le energie di Urbach. stato studiato il modello proposto per calcolare il band gap o le energie di Urbach di film sottili di ZnO non drogati e drogati. La relazione tra i dati sperimentali e il calcolo teorico con le molarit dei precursori suggerisce che il band gap o le energie di Urbach sono stimati prevalentemente dal band gap o dalle energie di Urbach e dalla concentrazione della soluzione di ZnO.