CMOS SRAM Entwurf und Analyse von SRAM-Zellen mit geringem Leckstrom und hoher Geschwindigkeit

In dieser Arbeit wird die neuartige einseitige 5T- und 6T-SRAM-Zelle vorgestellt. Dieser Transistor ist eine Zelle mit hoher Dichte oder nimmt weniger Fl che ein als eine herk mmliche 6T-SRAM-Zelle. Der Leckstrom dieser Zelle ist im Vergleich zu anderen 5T- oder herk mmlichen 6T-Zellen sehr niedrig. F r diese Zelle ist wie bei einer herk mmlichen 6T-SRAM-Zelle eine Vorladeschaltung erforderlich. Diese Zelle ist au erdem energieeffizient. Die Ergebnisse zeigen au erdem, dass die in dieser Zelle gespeicherten Daten u erst stabil sind. Bei jeder Art von Schaltkreis oder Anwendung gibt es immer Raum f r Verbesserungen. Mit der vorgeschlagenen Konfiguration k nnen wir sie mit verschiedenen Techniken verbessern. Wir k nnen das Seitenverh ltnis der Zelle ndern, um bessere Ergebnisse zu erzielen. Wir k nnen Taktgatter f r einen energieeffizienten Schaltkreis anwenden. Wir k nnen den Peripherieschaltkreis f r eine bessere Leistung verbessern.