Caractérisation des couches minces de CIS préparées par voie électrochimique

La demande nerg tique mondiale augmentant, les sources d' nergie renouvelables font l'objet de recherches de plus en plus approfondies. Plusieurs recherches sont en cours pour d velopper des dispositifs photovolta ques efficaces qui sont utilis s pour convertir l' nergie solaire directement en lectricit . Les cellules solaires couche mince de nouvelle g n ration remplacent rapidement les cellules solaires traditionnelles au silicium, car elles n cessitent moins de mat riaux et peuvent tre produites moindre co t. Parmi les mat riaux des cellules solaires couche mince, le CIS a attir les recherches en raison de son potentiel lev , de sa bande interdite directe dans la r gion d'absorption solaire maximale, de son coefficient d'absorption lev et de ses propri t s lectriques et optiques appropri es pour la production, comme l'a d montr l'efficacit de conversion d'environ 20 %. Le m canisme de fonctionnement des dispositifs CIS n'est pas bien compris et les causes des d fauts dans la structure lectrique ne sont pas bien connues. L'objet de cette tude est d'examiner et d' valuer les cellules solaires CIS pr par es par lectrod position et de d terminer les conditions dans lesquelles les cellules fonctionnent plus efficacement.