Propriedades Electrónicas e Dieléctricas do Grafeno e do Óxido de Grafeno

Este trabalho estabelece que as propriedades eletr nicas e diel tricas dependentes da freq ncia e temperatura do grafeno reduzido eletroquimicamente (ERGO) s o superiores aos pap is de xido de grafeno (GO) em 2 ordens de grandeza. H uma polariza o mais forte como resultado do aumento da concentra o de grupos reduzidos e do desbaste de folhas de grafeno em pap is ERGO, o primeiro papel reduzido eletroquimicamente a partir de GO. Em GO, h uma maior depend ncia de frequ ncia devido a uma maior percentagem de t tulos O-H entre camadas. A permissividade diel ctrica aumenta com a diminui o da frequ ncia devido a uma polariza o mais forte e a perdas de condu o reduzidas. Em frequ ncias muito altas, maiores perdas de condutibilidade s o respons veis por menores valores de permissividade diel trica dos pap is ERGO em compara o com os pap is GO. O perfil de condutividade dependente da temperatura foi devido ao transporte termicamente ativado, tempo de resid ncia e dispers o i nica dos portadores de carga. A recupera o das propriedades condutoras e diel tricas a temperaturas mais elevadas deveu-se transi o de um sistema multi-nano-capacitor diel trico de grafite-ion-cluvem para um sistema multi-nano-capacitor de grafite-ar.