Herstellung von nanoporösem Silizium

Die Eigenschaften der por sen Si-Schicht, die durch silberverst rktes chemisches tzen von p-Si in w ssriger HF/HNO3-L sung gebildet wird, werden durch die Konzentration der Ag-Ionen im Beschichtungsbad, die Konzentrationen sowohl des tzmittels (HF) als auch des Oxidationsmittels (HNO3) und die tzzeit des Si-Substrats beeinflusst. Die SEM-Ergebnisse best tigten, dass die Abscheidung von Silberionen aus einer 1,0 10-3 M AgNO3-L sung auf p-Si vor dem chemischen tzen in HF/HNO3 im Vergleich zu den anderen Silbernitrat-Konzentrationen zu gleichm igem PSL f hrte. Die Impedanzdaten zeigten, dass mit steigender Konzentration von HF und Salpeters ure auch die Si-Aufl sung zunimmt. Die Herstellung von PSL mit gleichm igen runden L chern mit kleinem Durchmesser gelang mit dem Ag-modifizierten chemischen tzen von p-Si schneller als mit dem herk mmlichen Flecken tzen in derselben tzl sung, bei dem Poren von betr chtlicher Breite entstanden. Das Fehlen eines Silberpeaks in den EDX-Messungen f r das resultierende PSL aus dem Ag-unterst tzten chemischen tzen deutet darauf hin, dass sich das abgeschiedene Ag nach dem tzen vollst ndig in der L sung aufgel st hat. Die Ergebnisse der REM- und AFM-Untersuchungen zeigten, dass der Durchmesser der Nanoporen und die Oberfl chenrauhigkeit mit zunehmender tzdauer zunahmen.