Gå direkt till innehållet
GaN HEMT Modeling Including Trapping Effects Based on Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements
Spara

GaN HEMT Modeling Including Trapping Effects Based on Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements

Författare:
Engelska
Författare
Peng Luo
ISBN
9783736999060
Språk
Engelska
Vikt
216 gram
Utgivningsdatum
2019-01-09
Förlag
Cuvillier
Sidor
160