Fabrication de silicium nanoporeux

Les caract ristiques de la couche de Si poreux form e par la gravure chimique am lior e par l'argent de p-Si dans une solution aqueuse HF/HNO3 sont influenc es par la concentration d'ions Ag dans le bain de placage, les concentrations de l'agent de gravure (HF) et de l'agent oxydant (HNO3), et le temps de gravure du substrat de Si. Les r sultats du MEB ont confirm que le d p t d'ions argent partir d'une solution d'AgNO3 de 1,0 10-3 M sur le p-Si avant la gravure chimique dans HF/HNO3 a produit des PSL uniformes par rapport aux autres concentrations de nitrate d'argent. Les donn es d'imp dance ont r v l que lorsque les concentrations de HF et d'acide nitrique augmentent, la dissolution du Si augmente galement. La fabrication de PSL avec des trous ronds r guliers et de petit diam tre a t plus rapide avec la gravure chimique de p-Si modifi e par l'Ag qu'avec la gravure traditionnelle dans la m me solution de gravure, qui a produit des pores d'une largeur consid rable. L'absence de pic d'argent dans les mesures EDX pour le PSL r sultant de la gravure chimique avec r sistance l'Ag sugg re que l'Ag d pos s'est enti rement dissous dans la solution apr s la gravure. Les r sultats du MEB et de l'AFM ont r v l que le diam tre des nanopores et la rugosit de la surface augmentaient avec la dur e de la gravure.