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Étude d'un MESFET-GaAs hyperfréquence et application en LNA 10GHz MMIC
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Étude d'un MESFET-GaAs hyperfréquence et application en LNA 10GHz MMIC

Författare:
pocket, 2024
Franska
Depuis des ann es, le transistor effet de champ (MESFET) fait avec l'Ars niure de Gallium (GaAs) se pr sente comme le composant le plus adapt des applications d'hyperfr quences et de commutation, ce choix est justifi par de remarquables performances telles que: un faible facteur de bruit (
Författare
Mohamed Lahoual
ISBN
9786206723295
Språk
Franska
Vikt
200 gram
Utgivningsdatum
2024-09-16
Sidor
128