Conception d'une SRAM à faible fuite

La plupart des recherches sur la consommation d' nergie des circuits se sont concentr es sur la puissance de commutation et la puissance dissip e par le courant de fuite a t un domaine relativement mineur. Cependant, dans le processus VLSI actuel, le courant sous le seuil devient l'un des principaux facteurs de la consommation d' nergie, en particulier dans les m moires haut de gamme. Pour r duire la puissance de fuite dans la SRAM, la m thode de gestion de la puissance peut tre appliqu e et l'une des principales techniques de gestion de la puissance est l'utilisation de transistors de veille pour contr ler le courant de sous-seuil. Dans ce projet, des tensions de seuil doubles sont adopt es; les cellules SRAM normales ont des tensions de seuil inf rieures et les tensions de seuil sup rieures contr lent les transistors dormants. La taille des transistors dormants peut tre choisie en fonction du courant le plus d favorable et est appliqu e chaque bloc.