Sökt på: Böcker av S V Jagadeesh Chandra
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Role of Annealing on the Interface Engineering in Ge MOS devices
Rôle du recuit sur l'ingénierie d'interface dans les dispositifs Ge MOS
Les di lectriques haute permittivit et les substrats appropri s font l'objet d' tudes intensives en vue de leur utilisation dans la conception VLSI. Cependant, l'oxyde d'hafnium …
Investigations on Magnetron Sputtered Tantalum Oxide Films
Filmes dieléctricos de alto teor de óxido de zircónio dopado de óxido de tântalo para dispositivos MOS
Películas dieléctricas de alto k de óxido de circonio dopado para dispositivos MOS
Mit Zirkonium dotierte Tantaloxid-High-k-Dielektrikumsschichten für MOS-Bauelemente
Films diélectriques à haute valeur k en oxyde de tantale dopé au zirconium pour dispositifs MOS
Ruolo della ricottura sull'ingegneria dell'interfaccia nei dispositivi Ge MOS
I dielettrici ad alta permittivit e i substrati adatti sono oggetto di studi intensivi in vista del loro utilizzo nella progettazione VLSI. Tuttavia, l'ossido di afnio (HfO2) un …
Film dielettrici high-k di ossido di tantalio drogato con zirconio per dispositivi MOS
Papel del recocido en la ingeniería de interfaz de los dispositivos MOS de Ge
Die Rolle des Ausglühens bei der Grenzflächentechnik in Ge-MOS-Bauelementen
Dielektrika mit hoher Dielektrizit tskonstante und geeignete Substrate werden im Hinblick auf ihre Verwendung im VLSI-Design intensiv untersucht. Hafniumoxid (HfO2) ist ein …
Papel do recozimento na engenharia de interface em dispositivos Ge MOS
Os diel ctricos de elevada permissividade e os substratos adequados est o a ser intensamente estudados tendo em vista a sua utiliza o na conce o de VLSI. No entanto, o xido de h …